在追求極致精度與效率的半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓檢測(cè)設(shè)備是保障先進(jìn)制程良率的“火眼金睛”。其中，碳化硅（SiC）材料因其一系列無(wú)可匹敵的物理特性，正成為制造這類設(shè)備核心零部件的關(guān)鍵材料，深刻推動(dòng)著檢測(cè)