在半導體納米級制造中，碳化硅（SiC）吸盤是實現(xiàn)工藝精度與一致性的核心物理基礎。它不僅是承載晶圓的托盤，更是直接決定薄膜均勻性、刻蝕精度和光刻套準率的關鍵耗材。 為何它如此重要？ 精度控制的生命線：芯片制造的溫度窗口極窄。碳化硅憑借頂尖的熱導率與接近硅的熱